По сообщению сайта ElectronicWeekly.com, главный научный сотрудник HP Стэн Уильямс объявил на конференции International Electronics Forum 2011 в Севилье, что компания через полтора года выпустит чип энергонезависимой памяти нового типа на основе «мемристоров» (memristor), способной заменить флэш-память NAND. Дни флэш-памяти сочтены, заявил Уильямс. Ученый также сообщил, что в HP разрабатывают замену DRAM, — оперативную память, которой для перезаписи одного бита потребуется на порядок меньше энергии.

Memristor (memory resistor) — резистивная память. Принцип ее действия основан на изменении сопротивления ячеек под действием электрического тока. В этом году в HP также объявили о разработке мемристоров, могущих выполнять логические операции, то есть один и тот же чип может быть и процессором, и памятью.

В 2010 году HP объявила о контракте с компанией Hynix на выпуск энергонезависимой памяти нового поколения. Как уточнила представитель HP Элайза Грин, в компании действительно планируют выпустить продукты на основе мемристоров к концу 2013 года, однако конкретные сроки еще не установлены. Планы HP и Hynix о сотрудничестве в данной области не изменились, добавила она.